加热型(T-ALD)原子层沉积系统
Company Profile

TALD热型原子层沉积系统

 

 

一、设备概述:
       TALD原子层沉积系统是专门为科研和工业小型化量产用户而设计的单片/多片沉积系统。该系统电气完全符合CE标准,广泛应用于微电子、纳米材料、光学薄膜、太阳能电池等领域。

    

二、技术指标:

 1、腔体结构及加热控制

1.1 沉积腔室符合半导体工业标准设计,低颗粒度增加值;

1.2 真空漏率小于5*10-7Pa•L/S,;

1.3 样品台尺寸4/6/8英寸,可兼容小尺寸样品,样品温度最高加热至400℃;


2、前驱体源管路结构及加热控制

2.1 加热前驱体源或常温前驱体源系统1-6路,加热源装置及输运管路的最大加热温度200℃;

2.2 配备Swagelok快速ALD专用阀门(响应时间<10ms)、手动阀和Swagelok 316L EP级不锈钢管路,配置50ml直通源瓶;

2.3 可选配标准OG臭氧系统、鼓泡前驱体源系统等。


3、真空系统及加热控制

3.1 配置高性能真空泵,系统本底真空能达到5*10-3Torr,系统漏率5*10-7Pa•L/s,真空泵抽速>16m³/h;

3.2 配置有用于反应腔压力监控的压力传感器(原装进口);

3.3 配置有热阱、真空管路加热系统;


4、控制及软件

4.1 图形化操作界面;

4.2 恰当完备的用户角色管理机制;

4.3 安全互锁功能或联动保护装置。

4.4 沉积模式:连续模式和停流模式等。


5、其他配置

5.1 提供一套标准使用、维护附件。