加热型(T-ALD)原子层沉积系统
Company Profile

TALD热型原子层沉积系统

 

 

一、设备概述:
       TALD原子层沉积系统是专门为科研和工业小型化量产用户而设计的单片/多片沉积系统。该系统电气完全符合CE标准,广泛应用于微电子、纳米材料、光学薄膜、太阳能电池等领域。

二、产品优势:

       先进的软件控制系统:系统集工艺配方、参数设置、权限设定、互锁报警、状态监控等功能于一体;

    

三、技术指标:

       样品台尺寸:4/6/8英寸,兼容小尺寸;
       基片加热温度:室温~400℃
       前驱体源路数:标准3路液态前驱体管路,可选配
       前驱体管路温度:室温~200℃,控制精度±1℃
       源瓶加热温度:室温~200℃,控制精度±1℃
       ALD阀:Swagelok快速高温ALD专用阀
       本底真空: <5x10-3 Torr,高性能机械泵
       载气系统:N2或者Ar
       生长模式:连续和停留沉积模式任意选择
       控制系统:PLC+触摸屏
       电源:50-60Hz,220V/20A交流电源
       沉积非均匀性:Al2O3非均匀性<±1%

四、可沉积薄膜种类:

       氧化物、单质。

五、ALD应用实例:

       存储容性电介质,铜互连中高深宽比扩散阻挡层,OLED无针孔钝化层,MEMS的高均匀镀膜,纳米多孔结构镀膜,特种光纤掺杂,太阳能电池,平板显示器,光学薄膜,其它各类特殊结构纳米薄膜